Vishay MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 150 A, 4.5 mΩ, 84 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール500個入り) 小計:*

¥174,880.00

(税抜)

¥192,370.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年10月15日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
500 - 2000¥349.76¥174,880
2500 - 4500¥344.618¥172,309
5000 - 12000¥339.476¥169,738
12500 - 24500¥334.33¥167,165
25000 +¥329.184¥164,592

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
225-9971
メーカー型番:
SUP70042E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

150A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

N-Channel 100 V

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.5mΩ

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

84nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

278W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

175°C

高さ

4.65mm

規格 / 承認

No

10.51mm

長さ

29.51mm

自動車規格

なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET パワー MOSFET

ジャンクション温度:最大 175 ° C

非常に低い Qgd により、 V (プラトー)の通過による電力損失を低減

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。