Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 12.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSSOP
- RS品番:
- 228-2822
- メーカー型番:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥57.717 | ￥173,151 |
| 6000 - 27000 | ￥57.53 | ￥172,590 |
| 30000 - 42000 | ￥57.331 | ￥171,993 |
| 45000 - 57000 | ￥57.144 | ￥171,432 |
| 60000 + | ￥56.945 | ￥170,835 |
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- RS品番:
- 228-2822
- メーカー型番:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | TSSOP | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.2W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 112nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 12.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 TSSOP | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.2W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 112nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay TrenchFET P チャンネルパワー MOSFET は、負荷スイッチ、バッテリスイッチ、電力管理に使用されます。
100 % Rg及びUISテスト済み