4 Vishay MOSFET, デュアルNチャンネル, 8 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI9634DY-T1-GE3 パッケージSO-8
- RS品番:
- 268-8283
- メーカー型番:
- SI9634DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
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- RS品番:
- 268-8283
- メーカー型番:
- SI9634DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | デュアルN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SI9634DY | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 60 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 4 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ デュアルN | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SI9634DY | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 60 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
1チップ当たりのエレメント数 4 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
VishayデュアルNチャンネルTrenchFET4世代パワーMOSFETは、完全に鉛及びハロゲンフリーのデバイスです。最適化された比率で、スイッチングに関連する電力損失を低減し、同期整流、モータドライブコントロールなどの用途で使用されています。
ROHS準拠
UISテスト: 100 %
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