型番

4 Vishay MOSFET, デュアルNチャンネル, 8 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI9634DY-T1-GE3 パッケージSO-8

RS品番:: 268-8283
メーカー型番:: SI9634DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

4 Vishay MOSFET, デュアルNチャンネル, 8 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI9634DY-T1-GE3 パッケージSO-8

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RS品番:: 268-8283
メーカー型番:: SI9634DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	デュアルN
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	SI9634DY
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	60 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested
	1チップ当たりのエレメント数	4
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプデュアルN
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ SI9634DY
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 60 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested
	1チップ当たりのエレメント数 4
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

VishayデュアルNチャンネルTrenchFET4世代パワーMOSFETは、完全に鉛及びハロゲンフリーのデバイスです。最適化された比率で、スイッチングに関連する電力損失を低減し、同期整流、モータドライブコントロールなどの用途で使用されています。

ROHS準拠

UISテスト: 100 %

4 Vishay MOSFET, デュアルNチャンネル, 8 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI9634DY-T1-GE3 パッケージSO-8

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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