Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 32 A, 70 mΩ, 42 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK

RS品番:: 228-2871
メーカー型番:: SiHH080N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 32 A, 70 mΩ, 42 nC, 4ピン, パッケージ：PowerPAK

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RS品番:: 228-2871
メーカー型番:: SiHH080N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	32A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	E
	パッケージ型式	PowerPAK
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	70mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	42nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	184W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 32A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ E
	パッケージ型式 PowerPAK
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 42nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 184W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - SiHH080N60E-T1-GE3

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流32A - SiHH080N60E-T1-GE3

このパワーMOSFETは、表面実装電力変換および制御作業向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い環境範囲で動作し、大きな電流処理、効率的なスイッチング、コンパクトなプリント基板実装を必要とする用途向けに設計されています。このデバイスは、RoHS環境基準に適合するように製造されており、低プロファイル組立用のPowerPAKパッケージで提供されます。

特長：

• 650V ドレイン容量により、高電圧用途に対応
• 連続ドレイン電流 32A により、大きな負荷電流に対応
• 70mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 42nCの標準ゲート充電により、高速スイッチングトランジションを実現
• 184Wの消費電力により、動作中の熱エネルギーを管理
• 30VのVgs制限により、標準ゲートドライブ電圧を実現

用途

• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータインバータステージに最適
• 堅牢なスイッチを必要とするPFC回路で使用
• 再生可能エネルギーインバータセクションに使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適

このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?

-55°C～150°Cで動作し、過酷な熱環境や高いジャンクション温度に対応します。

このパッケージは、プリント基板の組み立てと熱動作にどのように役立ちますか?

PowerPAK表面実装パッケージは、自動実装用の低プロファイルフットプリントを提供し、プリント基板上の銅ヒートシンクに適した熱経路を提供します。

信頼性の高いスイッチングにはどのようなゲートドライブが必要ですか?

ドライブ回路は、±30Vゲート‐ソース定格を遵守し、必要なスイッチング速度とEMI制御に対して標準的な42nCゲート電荷を供給するように設計する必要があります。

このデバイスは自動車システムに適していますか?

自動車規格デバイスとして定義されていないため、設計者は認定された自動車プログラムで使用する前に、認定された認定要件を確認する必要があります。