Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 32 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SiHH080N60E-T1-GE3
- RS品番:
- 228-2873
- メーカー型番:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 228-2873
- メーカー型番:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 32A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 70mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 184W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 42nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 32A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 184W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 42nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、650 Vドレインソース電圧、32 A連続ドレイン電流 - SiHH080N60E-T1-GE3
このパワーMOSFETは、要求の厳しい電力変換および制御作業向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、コンパクトで堅牢なスイッチング性能が求められる表面実装用途向けに設計されています。このコンポーネントは、産業用および電子電源段で使用するための高ドレイン-ソース電圧をサポートしながら、大きな連続電流能力を発揮します。
特長：
• 650 Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチングを実現
• 32 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理をサポート
• 70 mΩ Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 42 nC標準ゲート充電により、スイッチング速度制御を向上
• 184 Wの消費電力により、大きな熱スループットを実現
• 150 °Cの最大動作温度により、高いジャンクションに対応
• 32 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理をサポート
• 70 mΩ Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 42 nC標準ゲート充電により、スイッチング速度制御を向上
• 184 Wの消費電力により、大きな熱スループットを実現
• 150 °Cの最大動作温度により、高いジャンクションに対応
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータドライブフロントエンドに最適
• コンバータの力率補正段階に使用
• 共振及びハードスイッチングインバータレッグに使用可能
• 電源管理モジュールのディスクリートトランジスタアレイと併用
• 産業用モータドライブフロントエンドに最適
• コンバータの力率補正段階に使用
• 共振及びハードスイッチングインバータレッグに使用可能
• 電源管理モジュールのディスクリートトランジスタアレイと併用
制御回路で安全に使用できるゲート電圧範囲は?
ゲートはソースに対して最大30 Vまで駆動可能
ゲートオキサイドを保護するために、制御ロジックはこの制限内に留まる必要があります。
このパッケージは、基板レベルの熱設計にどのように影響しますか?
4ピンのPowerPAK表面実装パッケージには、基板上の熱バイアス又はヒートシンクが必要で、指定された条件下で最大184 Wの電力を消費します。
このデバイスはどのような過酷な環境に耐えることができますか?
-55 °Cから最大150 °Cまでの連続動作に対応し、幅広い周囲温度およびジャンクション温度範囲で使用できます。
このデバイスは、どのようなチャンネル伝導を実現しますか?
エンハンスメントモードNチャンネルデバイスで、正のゲート-ソース電圧が適用されると導電します。
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