Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 165.3 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, SIHP21N80AEF-GE3

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梱包形態
RS品番:
228-2879
メーカー型番:
SIHP21N80AEF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

165.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

850V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

E

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

250mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

179W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

47nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay E シリーズパワー MOSFET により、スイッチング損失と導電損失を低減しています。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

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