Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 850 V, 6.5 A, 0.305 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
239-8621
メーカー型番:
SiHA17N80AEF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

850V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

EF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.305Ω

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

34W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧850V、最大連続ドレイン電流6.5A - SiHA17N80AEF-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電子システムのスイッチングおよび電力管理用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。表面実装用のTO-220パッケージで提供され、幅広い動作温度に対応しているため、広い熱範囲の性能と自動車グレードの堅牢性を必要とする用途に適しています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 850V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 6.5Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷電流に対応
• 0.305Ω のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 63nC標準ゲート充電により、スイッチングエネルギー需要を低減
• 34Wの最大消費電力により、動作中の熱ストレスに対応
• -55°C~+150°Cの動作範囲で極端な温度に耐える

用途


• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• AEC‐Q101要件に適合する自動車用電子機器に最適
• 堅牢なスイッチングを必要とする産業用モータードライブに使用
• 高電圧レールを扱うSMPSステージに使用可能
• 再生可能エネルギーインターフェースの電源スイッチングに使用

安全な動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


このデバイスは、ゲートソース電圧が30 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスを防止します。

パッケージは熱処理にどのような影響を与えますか?


TO-220パッケージにより、効果的なヒートシンクを実現し、適切に取り付けると、指定された34Wの消費電力をサポートします。

どのようなチャンネル特性が回路トポロジの選択に影響しますか?


Nチャンネルデプレッションモードデバイスであるため、ゲートドライブなしで伝送し、オフ状態の動作を制御するためのゲートバイアス戦略が必要です。

このデバイスは、規制された自動車環境に適していますか?


AEC‐Q101自動車規格に準拠し、車両システム要件を満たすために拡張された温度制限に対応しています。

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