Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 225 A 100 V, 表面実装 エンハンスメント型, 4-Pin, SIJH112E-T1-GE3 パッケージPowerPAK （8x8L）
- RS品番:
- 228-2893
- メーカー型番:
- SIJH112E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 228-2893
- メーカー型番:
- SIJH112E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 225A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK （8x8L） | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0028Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 225A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 PowerPAK （8x8L） | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0028Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
Vishay TrenchFET Nチャンネルは100 V MOSFETです。
100 % Rg及びUISテスト済み
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