Vishay MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 8.8 A, 0.119 Ω, 11.8 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8
- RS品番:
- 268-8339
- メーカー型番:
- SIS112LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 15000 - 27000 | ￥54.931 | ￥164,793 |
| 30000 - 72000 | ￥52.008 | ￥156,024 |
| 75000 - 147000 | ￥50.547 | ￥151,641 |
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- RS品番:
- 268-8339
- メーカー型番:
- SIS112LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | SIS | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.119Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 19.8W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ SIS | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.119Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11.8nC | ||
最大許容損失Pd 19.8W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay NチャンネルTrenchFET世代4パワーMOSFETは、シングル構成MOSFETです。鉛フリー、ハロゲンフリーで、プライマリサイドスイッチ、モータドライブスイッチ、ブーストコンバータとしての用途に使用されます。
最も優れた性能を発揮するチューニング
ROHS準拠
UISテスト: 100 %
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