Vishay MOSFET, Nチャンネル, 225 A, 表面実装, 4 ピン, SIJH112E-T1-GE3

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取扱終了
梱包形態
RS品番:
228-2895
メーカー型番:
SIJH112E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

225 A

最大ドレイン-ソース間電圧

100 V

シリーズ

TrenchFET

パッケージタイプ

PowerPAK 8 x 8L

実装タイプ

表面実装

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗

0.0028 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4V

トランジスタ素材

Si

1チップ当たりのエレメント数

1

Vishay TrenchFET N チャンネルは 100 V MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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