Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 77.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR570DP-T1-RE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,803.00

(税抜)

￥1,983.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,975 は 2026年1月12日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥360.60￥1,803
150 - 1420￥319.80￥1,599
1425 - 1895￥278.20￥1,391
1900 - 2395￥237.60￥1,188
2400 +￥196.80￥984

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
228-2906
メーカー型番:
SiR570DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

77.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

104W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46.9nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET N チャンネルは 150 V MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ