Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 70 V, 42.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS176LDN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
228-2921
メーカー型番:
SiS176LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

42.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

70V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.6nC

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET N チャンネルは 70 V MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

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