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Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 33.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS128LDN-T1-GE3

RS品番:: 188-5153
メーカー型番:: SiS128LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 33.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS128LDN-T1-GE3

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RS品番:: 188-5153
メーカー型番:: SiS128LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	33.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	SiS128LDN
	パッケージ型式	PowerPAK 1212
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	20.3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	39W
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	高さ	1.07mm
	幅	3.15 mm
	長さ	3.15mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 33.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ SiS128LDN
	パッケージ型式 PowerPAK 1212
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20.3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 39W
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	高さ 1.07mm
	幅 3.15 mm
	長さ 3.15mm
	自動車規格なし

N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 33.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS128LDN-T1-GE3

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