Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPak 1212-8W, SQS460CENW-T1_GE3
- RS品番:
- 268-8373
- メーカー型番:
- SQS460CENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8373
- メーカー型番:
- SQS460CENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | SQS | |
| パッケージ型式 | PowerPak 1212-8W | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.059Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.845V | |
| 最大許容損失Pd | 27W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ SQS | ||
パッケージ型式 PowerPak 1212-8W | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.059Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.845V | ||
最大許容損失Pd 27W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 3.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay自動車用デュアルNチャンネルTrenchFETパワーMOSFETは、鉛及びハロゲンフリーデバイスです。これはシングル構成MOSFETで、動作温度に関係なしです。
AEC Q101資格
ROHS コンプライアンス
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