Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 40 V, 120 A, 3.1 mΩ, 3ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
229-1818
メーカー型番:
IPB120P04P4L03ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

136W

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

順方向電圧 Vf

-1.3V

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon iPBシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流120A - IPB120P04P4L03ATMA2


このpチャンネルMOSFETは、自動車および産業環境での高電流スイッチングおよび耐熱性を実現するために設計された表面実装パワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なゲート許容差と低い伝導損失が求められる用途向けに設計されています。

特長:


• 40Vドレイン・ソース定格により、中電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 120A により高負荷に対応
• 3.1mΩの低Rds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 136Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 最大16VのVgs許容差により、高いゲート駆動マージンを実現
• -55°C~175°Cの温度範囲により、極端な環境下でも動作を維持

用途


• 高電流逆バッテリ保護回路に最適
• 自動車用配電モジュールに最適
• ローサイドまたはハイサイドモータコントローラーと併用
• DC-DCコンバーター同期スイッチングに使用可能
• 電気自動車の電力管理機能に最適

プリント基板組立にはどのようなパッケージを使用しますか?


はんだ付け基板実装用に設計されたTO-263表面実装パッケージで提供されます。

高負荷時の熱動作はどのようになっていますか?


このデバイスは、適切に冷却された状態で最大136Wの消費電力を発揮し、適切な熱管理により、高出力での長時間動作を可能にします。

設計時にはどのようなゲート制限を遵守する必要がありますか?


ゲートソース電圧は、ゲート過負荷を避けるために16Vを超えてはなりません。

自動車認定要件に適していますか?


半導体認定に関するAEC-Q101自動車規格に適合しています。

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