Infineon パワー トランジスタ, タイプPチャンネル 40 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB120P04P4L03ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,987.00

(税抜)

￥2,185.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 3,790 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 40￥198.70￥1,987
50 - 440￥195.60￥1,956
450 - 590￥192.40￥1,924
600 - 790￥189.30￥1,893
800 +￥186.20￥1,862

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
826-9092
メーカー型番:
IPB120P04P4L03ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS P

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

136W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

180nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

4.4mm

長さ

10mm

幅

9.25 mm

自動車規格

AEC-Q

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET


Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。

エンハンスメントモード

アバランシェ定格

スイッチングロスと導電損失が低い

無鉛めっき、RoHS準拠

標準パッケージ

OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ