Infineon パワー トランジスタ, タイプPチャンネル, 40 V, 120 A, 5.2 mΩ, 180 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 826-9092
- メーカー型番:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥3,043.00
(税抜)
￥3,347.30
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 3,760 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥304.30 | ￥3,043 |
| 50 - 440 | ￥299.60 | ￥2,996 |
| 450 - 590 | ￥294.80 | ￥2,948 |
| 600 - 790 | ￥289.90 | ￥2,899 |
| 800 + | ￥285.20 | ￥2,852 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 826-9092
- メーカー型番:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | パワー トランジスタ | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS P | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 136W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 180nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 4.4mm | |
| 長さ | 10mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ パワー トランジスタ | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS P | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 136W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 180nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 4.4mm | ||
長さ 10mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q | ||
RoHSステータス: 該当なし
Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET
Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。
エンハンスメントモード
アバランシェ定格
スイッチングロスと導電損失が低い
無鉛めっき、RoHS準拠
標準パッケージ
OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
関連ページ
- Infineon パワー トランジスタ 120 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-263
- Infineon MOSFET 120 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-263, IPB120P04P4L03ATMA2
- Infineon MOSFET 120 A エンハンスメント型 IPB120P04P404ATMA2
- Infineon MOSFET 273 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-263, IPB80P03P4L04ATMA2
- Infineon MOSFET 120 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-263
- Infineon MOSFET 120 A エンハンスメント型 IPB120N04S402ATMA1
- Infineon パワー トランジスタ 80 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-263, IPB80N06S4L05ATMA2
- Infineon MOSFET 80 A エンハンスメント型 IPB80P04P407ATMA2