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	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SuperSO
	シリーズ IPG
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 54W
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	順方向電圧 Vf 0.9V
	動作温度 Max 175°C
	トランジスタ構成デュアルNチャンネル・ノーマル・レベル
	高さ 1mm
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	幅 5.9 mm
	長さ 5.15mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

Infineon のデュアル n チャンネル標準レベル MOSFET は、ダイサイズが同じ DPAK と同じ熱的 / 電気的性能を発揮します。露出したパッドにより、優れた熱伝導性が得られます。1 つのパッケージに 2 つの n チャンネルと 2 つの絶縁リードフレームが含まれています。

RoHS 準拠で AEC Q101 認定です

動作温度は 175 ° C です

2 Infineon MOSFET デュアルNチャンネル・ノーマル・レベル, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, IPG20N04S409ATMA1 パッケージSuperSO

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