型番

Infineon MOSFET デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード, デュアルNチャンネル, 20 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, IPG20N06S4L11ATMA2

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仕様

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その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	デュアルN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	TDSON
	シリーズ	OptiMOSTM-T2
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±16 V
	最大許容損失Pd	65W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	41nC
	トランジスタ構成	デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	AEC Q101
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプデュアルN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 TDSON
	シリーズ OptiMOSTM-T2
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±16 V
	最大許容損失Pd 65W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC
	トランジスタ構成デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 AEC Q101
	自動車規格 AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2パワートランジスタは、デュアルスーパーS08で、複数のDPAKを置き換えることができ、基板面積を大幅に節約し、システムレベルのコストを削減します。同じダイサイズのDPAKと同じ熱性能と電気性能を発揮します。

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

動作温度: 175 °C

グリーン製品(RoHS準拠)

100 %アバランシェテスト済み

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