onsemi MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 55 A, 50 mΩ, 105 nC, 4ピン, パッケージ：TO-247
- RS品番:
- 229-6459
- メーカー型番:
- NTH4L045N065SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- 229-6459
- メーカー型番:
- NTH4L045N065SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SiC Power | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 50mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大許容損失Pd | 187W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 105nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 順方向電圧 Vf | 4.4V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 15.8mm | |
| 幅 | 5.2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 22.74mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SiC Power | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 50mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大許容損失Pd 187W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 105nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
順方向電圧 Vf 4.4V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 15.8mm | ||
幅 5.2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 22.74mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor の SiC パワーシリーズ MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。
最高レベルの効率
動作周波数が向上します
電力密度の向上
EMIの軽減
システムサイズの縮小
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