- RS品番:
- 229-6462
- メーカー型番:
- NTH4L060N090SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
在庫切れ
単価: 購入単位は450個
¥1,567.009
(税抜)
¥1,723.71
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
---|---|---|
450 - 450 | ¥1,567.009 | ¥705,154.05 |
900 - 4050 | ¥1,535.669 | ¥691,051.05 |
4500 - 6300 | ¥1,504.956 | ¥677,230.20 |
6750 - 8550 | ¥1,474.856 | ¥663,685.20 |
9000 + | ¥1,445.358 | ¥650,411.10 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 229-6462
- メーカー型番:
- NTH4L060N090SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
ON Semiconductor の SiC パワーシリーズ MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。
最高レベルの効率
動作周波数が向上します
電力密度の向上
EMIの軽減
システムサイズの縮小
動作周波数が向上します
電力密度の向上
EMIの軽減
システムサイズの縮小
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 46 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-247-4 |
シリーズ | SiC Power |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.084 Ω |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | SiC |
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