onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 55 A N, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, NTH4L045N065SC1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,444.00

(税抜)

￥1,588.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 38 は 2026年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 24￥1,444
25 - 214￥1,381
215 - 279￥1,313
280 - 359￥1,251
360 +￥1,179

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
229-6460
メーカー型番:
NTH4L045N065SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

SiC Power

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

50mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

4.4V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

105nC

最大許容損失Pd

187W

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

22.74mm

長さ

15.8mm

幅

5.2 mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor の SiC パワーシリーズ MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。

最高レベルの効率

動作周波数が向上します

電力密度の向上

EMIの軽減

システムサイズの縮小

関連ページ