onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A N, 表面, 8-Pin パッケージPQFN
- RS品番:
- 229-6472
- メーカー型番:
- NTMFS7D8N10GTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | NTMFS | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7.6mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大許容損失Pd | 187W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 92nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.84V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 1.1 mm | |
| 高さ | 6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ NTMFS | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.6mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大許容損失Pd 187W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 92nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.84V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5mm | ||
幅 1.1 mm | ||
高さ 6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor N チャンネル MOSFET は、シールドゲート技術を採用した Advanced Power トレンチプロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。
導電損失を最小限に抑制
高い Peak UIS 電流耐量(堅牢性
ハロゲンフリー
鉛フリー
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