onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 175 A N, 表面, 8-Pin パッケージDFN, NTMTS4D3N15MC
- RS品番:
- 229-6485
- メーカー型番:
- NTMTS4D3N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 229-6485
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- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 175A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大許容損失Pd | 293W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 79nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 8.5mm | |
| 幅 | 1.2 mm | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 175A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大許容損失Pd 293W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 8.5mm | ||
幅 1.2 mm | ||
長さ 8.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor N チャンネル MOSFET は、シールドゲート技術を採用した Advanced Power トレンチプロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。
導電損失を最小限に抑制
高 Peak 電流及び低寄生インダクタンス
熱的な課題がある用途に対応できるように、設計マージンを拡大します
スイッチングスパイクを低減します
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