onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 230-9088
- メーカー型番:
- NTHL099N60S5
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 6750 - 8550 | ¥535.331 | ¥240,899 |
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- RS品番:
- 230-9088
- メーカー型番:
- NTHL099N60S5
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | SUPERFET V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 99mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最大許容損失Pd | 184W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 41.07mm | |
| 幅 | 4.82 mm | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ SUPERFET V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 99mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC | ||
最大許容損失Pd 184W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 41.07mm | ||
幅 4.82 mm | ||
長さ 15.87mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor シリーズ SUPERFET V MOSFET は、 ON Semiconductor の第 5 世代高電圧スーパージャンクション( SJ ) MOSFET ファミリです。SUPERFET V は、クラス最高の CFM ( RDS ( ON ) · QG 及び RDS ( ON ) · eOSS )を使用して、重負荷だけでなく軽負荷効率も向上します。600 V SUPERET V シリーズは、 120 V/ ns の超高 MOSFET DVD/dt 定格及び 50 V/ns の高ボディダイオード DVD/dt 定格をサポートし、導電損失とスイッチング損失を低減することで設計上の利点を発揮します。この結果、 SUPERFET V MOSFET Easy Drive シリーズは、使いやすさを犠牲にすることなく、優れたスイッチング性能を発揮し、ハードスイッチングトポロジとソフトスイッチングトポロジの両方に使用できます。EMI の問題を管理し、優れたシステム効率で設計を簡単に実装できます。
ON Semiconductor シリーズ SUPERFET V MOSFET は、 ON Semiconductor の第 5 世代高電圧スーパージャンクション( SJ ) MOSFET ファミリです。SUPERFET V は、クラス最高の CFM ( RDS ( ON ) · QG 及び RDS ( ON ) · eOSS )を使用して、重負荷だけでなく軽負荷効率も向上します。600 V SUPERET V シリーズは、 120 V/ ns の超高 MOSFET DVD/dt 定格及び 50 V/ns の高ボディダイオード DVD/dt 定格をサポートし、導電損失とスイッチング損失を低減することで設計上の利点を発揮します。この結果、 SUPERFET V MOSFET Easy Drive シリーズは、使いやすさを犠牲にすることなく、優れたスイッチング性能を発揮し、ハードスイッチングトポロジとソフトスイッチングトポロジの両方に使用できます。EMI の問題を管理し、優れたシステム効率で設計を簡単に実装できます。
超低ゲート電荷(標準) QG = 48 nC )
低スイッチング損失
低時間関連の出力静電容量(標準) Coss ( tr ) = 642 pF )
低スイッチング損失
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
650 V @ TJ = 150 ° C
標準 RDS ( on ) = 79.2 m Ω
100 % アバランシェテスト済み
RoHS対応
内部ゲート抵抗: 6.9 Ω
超低ゲート電荷(標準) QG = 48 nC )
低スイッチング損失
低時間関連の出力静電容量(標準) Coss ( tr ) = 642 pF )
低スイッチング損失
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
650 V @ TJ = 150 ° C
標準 RDS ( on ) = 79.2 m Ω
100 % アバランシェテスト済み
RoHS対応
内部ゲート抵抗: 6.9 Ω
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