Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 97 A, 7.1 mΩ, 49 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8

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RS品番:
232-6766
メーカー型番:
ISC0806NLSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

97A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.1mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

最大許容損失Pd

96W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

1.2mm

規格 / 承認

No

高さ

5.35mm

長さ

6.1mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS PD パワー MOSFET 100 V は、 USB-PD 及びアダプタ用途を対象に設計されています。SuperSO8 パッケージにより、高速ランプアップと最適化されたリードタイムが実現されます。OptiMOS 低電圧 MOSFET は、パワーデリバリ用の製品で、部品の少ない設計を可能にし、 BOM コストを削減します。OptiMOS PD は、小型軽量パッケージの高品質製品を取り揃えています。

ロジックレベルの可用性

優れた温度特性

アバランシェ100 %テスト済み

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