Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 86 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, ISZ0702NLSATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,084.00

(税抜)

￥1,192.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,990 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥216.80￥1,084
150 - 1495￥190.40￥952
1500 - 1995￥162.40￥812
2000 - 3995￥136.20￥681
4000 +￥108.60￥543

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
232-6772
メーカー型番:
ISZ0702NLSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

86A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.6mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

65W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

3.4mm

幅

1.1 mm

長さ

3.4mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS PD パワー MOSFET 60 V は、 USB-PD 及びアダプタ用途を対象に設計されています。高速ランプアップと最適化されたリードタイムを実現します。OptiMOS 低電圧 MOSFET は、パワーデリバリ用の製品で、部品の少ない設計を可能にし、 BOM コストを削減します。OptiMOS PD は、小型軽量パッケージの高品質製品を取り揃えています。

ロジックレベルの可用性

優れた温度特性

アバランシェ100 %テスト済み

関連ページ