Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 56 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, ISZ0703NLSATMA1
- RS品番:
- 232-6774
- メーカー型番:
- ISZ0703NLSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 1500 - 1995 | ￥174.60 | ￥873 |
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- RS品番:
- 232-6774
- メーカー型番:
- ISZ0703NLSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 56A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.2mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 44W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 高さ | 3.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 56A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.2mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 44W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.4mm | ||
高さ 3.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の OptiMOS PD パワー MOSFET 60 V は、 USB-PD 及びアダプタ用途を対象に設計されています。高速ランプアップと最適化されたリードタイムを実現します。OptiMOS 低電圧 MOSFET は、パワーデリバリ用の製品で、部品の少ない設計を可能にし、 BOM コストを削減します。OptiMOS PD は、小型軽量パッケージの高品質製品を取り揃えています。
ロジックレベルの可用性
優れた温度特性
アバランシェ100 %テスト済み
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