Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 33 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, AIMW120R080M1XKSA1

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梱包形態
RS品番:
233-3491
メーカー型番:
AIMW120R080M1XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

150W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

5.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

5.3mm

幅

21.5 mm

長さ

16.3mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolSiC MOSFET は、車載用ファミリに対応した最新及び将来のオンボード充電器及びハイブリッド車及び電気自動車での DC-DC 用途向けに開発されています。ドレイン電流は 33 A です。

効率性の向上

高い周波数をイネーブルにする

電力密度の向上

冷却作業の削減

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