Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 1200 V, 52 A, 35 mΩ, 59 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本240個入り) 小計:*

¥1,147,726.08

(税抜)

¥1,262,498.64

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年2月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
240 - 240¥4,782.192¥1,147,726
480 - 2160¥4,713.25¥1,131,180
2400 - 3360¥4,644.304¥1,114,633
3600 - 4560¥4,575.367¥1,098,088
4800 +¥4,506.429¥1,081,543

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
233-3486
メーカー型番:
AIMW120R035M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

228W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

59nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

5.2V

動作温度 Max

175°C

高さ

5.3mm

長さ

16.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolSiC MOSFET は、車載用及び将来のオンボード充電器及びハイブリッド車や電気自動車での DC-DC 用途向けに開発されドレイン電流は 52 A です。

効率性の向上

高い周波数をイネーブルにする

電力密度の向上

冷却作業の削減

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。