型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 36 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

RS品番:: 233-3488
メーカー型番:: AIMW120R060M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 36 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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480 - 2160	￥2,687.663	￥645,039
2400 - 3360	￥2,647.55	￥635,412
3600 - 4560	￥2,607.433	￥625,784
4800 +	￥2,567.321	￥616,157

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RS品番:: 233-3488
メーカー型番:: AIMW120R060M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	36A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	1200V
	シリーズ	CoolSiC
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	60mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	5.2V
	最大許容損失Pd	150W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	31nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	23 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	高さ	5.3mm
	規格 / 承認	No
	幅	21.5 mm
	長さ	16.3mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 36A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V
	シリーズ CoolSiC
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 60mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 5.2V
	最大許容損失Pd 150W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 31nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 23 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	高さ 5.3mm
	規格 / 承認 No
	幅 21.5 mm
	長さ 16.3mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - AIMW120R060M1HXKSA1

Infineon CoolSiC MOSFET は、車載用ファミリに対応した最新及び将来のオンボード充電器及びハイブリッド車及び電気自動車での DC-DC 用途向けに開発されています。ドレイン電流は 36 A です。

効率性の向上

高い周波数をイネーブルにする

電力密度の向上

冷却作業の削減

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