Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 77 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOG

Infineon OptiMOS パワー MOSFET IPTG210N25NM3FD は、ガルウィングリードを備えたリード付き TO-有 鉛パッケージに収納されています。TO-Leadless と互換性のあるフットプリントの Tolg は、 D2PAK 7 ピンよりも優れた電気的性能で、基板面積を最大 60 % 削減します。OptiMOS 3-250 V のこの新しいパッケージは、超低 RDS （ on ）を実現し、高電流 300 A に対応するように最適化されていますTolg パッケージの OptiMOS は、ガルウィングリードの柔軟性を備え、 Al IMS ボードで優れたはんだ接合信頼性を実現します。

高効率、低 EMI