Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 288 A, 1.15 mΩ, 170 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
233-4392
メーカー型番:
ISC011N06LM5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

288A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

ISC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.15mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

170nC

最大許容損失Pd

1.89kW

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

1.2mm

高さ

5.35mm

長さ

6.1mm

自動車規格

なし

Infineon ISCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流288A - ISC011N06LM5ATMA1


このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流、高出力用途向けに設計されたパワースイッチングトランジスタです。広い熱範囲で動作し、堅牢なドレイン-ソース機能とゲート電圧耐性を備えたNチャンネル強化デバイスを必要とする要求の厳しい電子システムに適しています。

特長:


• 60Vドレイン耐性により、高電圧スイッチング機能を実現
• 288Aの連続電流により、高負荷伝導をサポート
• 1.15mΩのオン抵抗(RDS(on))により、負荷時の導通損失を最小化
• 1.89 kWの消費電力により、高出力処理が可能
• 170nCのゲート充電により、制御されたスイッチングダイナミックを実現
• 20Vゲート定格により、広いゲート駆動範囲を実現

用途


• 高電流コンバータおよび電源に最適
• 強力な導電性を必要とするモータードライブに使用
• 高出力システムのDC-DC段階に最適
• サーバーおよび通信電源モジュールに使用可能
• コンパクトボードの表面実装パワーステージに最適

信頼性の高い動作温度範囲は?


-55°C~175°Cで動作し、過酷な温度環境でも使用できます。

基板アセンブリにはどのような取り付けスタイルが推奨されますか?


プリント基板への表面実装用に設計されたTDSONパッケージに収められています。

このパッケージには、接続用のピン数がありますか?


このデバイスは、ゲート、ドレイン、ソース終端に対応する8ピン構成を採用しています。

どのようなチャンネルタイプとモードが導通動作を決定しますか?


標準MOSスイッチング用のエンハンスメントモードで動作するNチャンネルデバイスです。

設計者はプリント基板上でどのような物理的フットプリントを許容すべきですか?


このパッケージの寸法は6.1 x 5.35 x 1.2 mmで、適切なはんだ付け面積を配置する必要があります。

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