Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 288 A, 1.15 mΩ, 170 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON
- RS品番:
- 233-4392
- メーカー型番:
- ISC011N06LM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示5000個小計, 5000のリール巻き:*
¥1,862,375
(税抜)
¥2,048,610
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年1月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ¥372.475 | ¥1,862,375 |
| 10000 - 45000 | ¥371.698 | ¥1,858,490 |
| 50000 - 70000 | ¥367.138 | ¥1,835,690 |
| 75000 - 95000 | ¥362.605 | ¥1,813,025 |
| 100000 + | ¥358.071 | ¥1,790,355 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 233-4392
- メーカー型番:
- ISC011N06LM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 288A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | ISC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.15mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 170nC | |
| 最大許容損失Pd | 1.89kW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.2mm | |
| 高さ | 5.35mm | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 288A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ ISC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.15mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 170nC | ||
最大許容損失Pd 1.89kW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.2mm | ||
高さ 5.35mm | ||
長さ 6.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon ISCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流288A - ISC011N06LM5ATMA1
このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流、高出力用途向けに設計されたパワースイッチングトランジスタです。広い熱範囲で動作し、堅牢なドレイン-ソース機能とゲート電圧耐性を備えたNチャンネル強化デバイスを必要とする要求の厳しい電子システムに適しています。
特長:
• 60Vドレイン耐性により、高電圧スイッチング機能を実現
• 288Aの連続電流により、高負荷伝導をサポート
• 1.15mΩのオン抵抗(RDS(on))により、負荷時の導通損失を最小化
• 1.89 kWの消費電力により、高出力処理が可能
• 170nCのゲート充電により、制御されたスイッチングダイナミックを実現
• 20Vゲート定格により、広いゲート駆動範囲を実現
• 288Aの連続電流により、高負荷伝導をサポート
• 1.15mΩのオン抵抗(RDS(on))により、負荷時の導通損失を最小化
• 1.89 kWの消費電力により、高出力処理が可能
• 170nCのゲート充電により、制御されたスイッチングダイナミックを実現
• 20Vゲート定格により、広いゲート駆動範囲を実現
用途
• 高電流コンバータおよび電源に最適
• 強力な導電性を必要とするモータードライブに使用
• 高出力システムのDC-DC段階に最適
• サーバーおよび通信電源モジュールに使用可能
• コンパクトボードの表面実装パワーステージに最適
• 強力な導電性を必要とするモータードライブに使用
• 高出力システムのDC-DC段階に最適
• サーバーおよび通信電源モジュールに使用可能
• コンパクトボードの表面実装パワーステージに最適
信頼性の高い動作温度範囲は?
-55°C~175°Cで動作し、過酷な温度環境でも使用できます。
基板アセンブリにはどのような取り付けスタイルが推奨されますか?
プリント基板への表面実装用に設計されたTDSONパッケージに収められています。
このパッケージには、接続用のピン数がありますか?
このデバイスは、ゲート、ドレイン、ソース終端に対応する8ピン構成を採用しています。
どのようなチャンネルタイプとモードが導通動作を決定しますか?
標準MOSスイッチング用のエンハンスメントモードで動作するNチャンネルデバイスです。
設計者はプリント基板上でどのような物理的フットプリントを許容すべきですか?
このパッケージの寸法は6.1 x 5.35 x 1.2 mmで、適切なはんだ付け面積を配置する必要があります。
関連ページ
- Infineon MOSFET 60 V 1.15 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 60 V 3.4 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon パワー トランジスタ 120 V 3.2 mΩ 8ピン, パッケージ:PG-TDSON-8 FL
- Infineon MOSFET 40 V 1.7 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON-8 FL
- Infineon MOSFET 40 V 1.2 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 120 V 10.4 mΩ パッケージ:PG-TDSON-8
- Infineon MOSFET 120 V 7.3 mΩ パッケージ:PG-TDSON-8
- Infineon MOSFET 40 V 8ピン, パッケージ:TDSON
