Renesas Electronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-669, RJK0651DPB-00#J5

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥349,587.50

(税抜)

￥384,545.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年9月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥139.835￥349,588
5000 - 22500￥136.424￥341,060
25000 - 35000￥134.781￥336,953
37500 - 47500￥133.176￥332,940
50000 +￥131.609￥329,023

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
234-7154
メーカー型番:
RJK0651DPB-00#J5
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

ルネサス エレクトロニクス

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-669

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大許容損失Pd

45W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Renesas Electronics NチャンネルシングルパワーMOSFETは、スイッチング及び負荷スイッチ用途に適しています。60 Vの高ブレークダウン電圧を備えています。4.5 Vゲートドライブに対応しています。

高速スイッチング

低駆動電流

高密度実装

低オン抵抗

鉛フリー

ハロゲンフリー

関連ページ