Renesas Electronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-669, RJK0651DPB-00#J5
- RS品番:
- 234-7155
- メーカー型番:
- RJK0651DPB-00#J5
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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- RS品番:
- 234-7155
- メーカー型番:
- RJK0651DPB-00#J5
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-669 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 14mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 45W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-669 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 45W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Renesas Electronics N チャンネルシングルパワー MOSFET は、スイッチング及び負荷スイッチ用途に適しています。60 V の高い破壊電圧です4.5 V のゲートドライブに対応しています。
高速スイッチング
低駆動電流
高密度実装
低オン抵抗
鉛フリー
ハロゲンフリー
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