Renesas Electronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-669, RJK0656DPB-00#J5

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥574,615.00

(税抜)

￥632,077.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥229.846￥574,615
5000 - 22500￥227.848￥569,620
25000 - 35000￥225.851￥564,628
37500 - 47500￥223.853￥559,633
50000 +￥221.855￥554,638

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
234-7156
メーカー型番:
RJK0656DPB-00#J5
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

ルネサス エレクトロニクス

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-669

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

45W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Renesas Electronics N チャンネルシングルパワー MOSFET は、スイッチング及び負荷スイッチ用途に適しています。60 V の高い破壊電圧です4.5 V のゲートドライブに対応しています。

高速スイッチング

低駆動電流

高密度実装

低オン抵抗

鉛フリー

ハロゲンフリー

関連ページ