Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 13.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD18DP10LMATMA1

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RS品番:
235-4854
メーカー型番:
IPD18DP10LMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

13.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

178mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

83W

順方向電圧 Vf

-1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

-42nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS ™ P チャネル MOSFET 100V は、 DPAK パッケージに収められており、バッテリ管理、負荷スイッチ、逆極性保護の用途を対象とした新しいテクノロジーです。P チャンネルデバイスの主な利点は、中電力及び低電力用途における設計の複雑さの軽減です。MCU への簡単なインターフェイス、高速スイッチング、アバランシェ耐久性により、高品質の要求の厳しい用途に適しています。標準レベルで幅広い RDS （ on ）範囲を備え、低 Qg による低負荷時の効率が向上します。バッテリ管理、産業オートメーションに使用されています。

4 種類のパッケージが用意されています

広い範囲

標準レベルとロジックレベルの可用性

高 / 低スイッチング周波数に最適です

MCU への簡単なインターフェイス

設計の複雑さを軽減

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