Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 4.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3, IPD40DP06NMATMA1

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RS品番:
273-3007
メーカー型番:
IPD40DP06NMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TO252-3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

19W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

DPAKパッケージのInfineon PチャンネルMOSFETは、バッテリ管理、負荷スイッチ、逆極性保護用途向けの新しいテクノロジーです。MCUとの簡単なインターフェイス、高速スイッチング、アバランシェの頑丈さにより、適合

MCUへの簡単なインターフェイス

低Qgによる低負荷での効率向上

高速スイッチング

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