Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 192 A, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, ISC027N10NM6ATMA1
- RS品番:
- 235-4864
- メーカー型番:
- ISC027N10NM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ¥247.316 | ¥1,236,580 |
| 10000 - 45000 | ¥244.771 | ¥1,223,855 |
| 50000 - 70000 | ¥242.236 | ¥1,211,180 |
| 75000 - 95000 | ¥239.691 | ¥1,198,455 |
| 100000 + | ¥237.138 | ¥1,185,690 |
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- RS品番:
- 235-4864
- メーカー型番:
- ISC027N10NM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 192A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | ISC | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.24mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 245W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 91nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 1.1 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 5.1mm | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 192A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ ISC | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.24mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 245W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 91nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 1.1 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 5.1mm | ||
長さ 6.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS ™ 6 産業用パワー MOSFET 100 V は、通信やサーバー電源などの高スイッチング周波数用途向けに設計されていますが、太陽光発電、電動工具、ドローンなどの他の用途にも最適です。代替製品と比較して、 Infineon の最先端の薄型ウエハー技術は、大幅な性能向上を実現しています。
逆回復電荷を下げたり、よりソフトにしたりします
高スイッチング周波数に最適
アバランシェ定格エネルギーが高いです
RoHS対応
低い導電損失
低スイッチング損失
環境に配慮
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