Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 990 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, ISP20EP10LMXTSA1

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RS品番:
235-4879
メーカー型番:
ISP20EP10LMXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

990mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

ISP

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

4.2W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

1.8 mm

高さ

6.7mm

長さ

7.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS ™ P チャネル MOSFET 100V は、 SOT-223 パッケージに収められており、バッテリ管理、負荷スイッチ、逆極性保護の用途を対象とした新しいテクノロジーです。P チャンネルデバイスの主な利点は、中電力及び低電力用途における設計の複雑さの軽減です。MCU への簡単なインターフェイス、高速スイッチング、アバランシェ耐久性により、高品質の要求の厳しい用途に適しています。標準レベルで幅広い RDS （ on ）範囲を備え、低 Qg による低負荷時の効率が向上します。バッテリ管理、産業オートメーションに使用されています。

高 / 低スイッチング周波数に最適です

アバランシェ耐久性

業界標準のフットプリント表面実装パッケージ

堅牢で信頼性の高い性能

供給の安全性が向上します

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