Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 100 V, 990 mA, 2 Ω, 3.5 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 235-4879
- メーカー型番:
- ISP20EP10LMXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 235-4879
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- ISP20EP10LMXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 990mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | ISP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 4.2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 7.3mm | |
| 幅 | 1.8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 6.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 990mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ ISP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 4.2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 7.3mm | ||
幅 1.8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 6.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の OptiMOS ™ P チャネル MOSFET 100V は、 SOT-223 パッケージに収められており、バッテリ管理、負荷スイッチ、逆極性保護の用途を対象とした新しいテクノロジーです。P チャンネルデバイスの主な利点は、中電力及び低電力用途における設計の複雑さの軽減です。MCU への簡単なインターフェイス、高速スイッチング、アバランシェ耐久性により、高品質の要求の厳しい用途に適しています。標準レベルで幅広い RDS （ on ）範囲を備え、低 Qg による低負荷時の効率が向上します。バッテリ管理、産業オートメーションに使用されています。
高 / 低スイッチング周波数に最適です
アバランシェ耐久性
業界標準のフットプリント表面実装パッケージ
堅牢で信頼性の高い性能
供給の安全性が向上します
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