Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 60 V, -3.70 A, 65 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
243-9276
メーカー型番:
ISP650P06NMXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-3.70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

ISP

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

65mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon ISPシリーズMOSFET、最大ドレイン‐ソース電圧60V、最大消費電力81W - ISP650P06NMXTSA1


このMOSFETは、過酷な温度環境での表面実装電源スイッチング用に設計されたPチャンネル強化デバイスです。幅広い熱範囲で動作し、基板面積を節約しながらスルーパワー処理フットプリントを必要とするアセンブリに適したコンパクトなSOT‐223パッケージで提供されます。

特長および利点:


• 65mΩ Rds(on)により、伝導損失を低減し、効率的な電力伝送を実現
• -3.70Aの連続ドレイン電流により、安定状態の負荷動作をサポート
• 80 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングダイナミックを実現
• 60V ドレイン・ソース定格により、高電圧スイッチング用途に対応
• 81Wの消費電力により、コンパクトなパッケージで熱エネルギーを管理

用途


• 温度耐性を必要とする自動車制御モジュールに最適
• 産業用制御電子機器のパワーレールに最適
• バッテリ管理システムの負荷スイッチングに使用
• 逆極性およびハイサイドスイッチング回路に使用可能

どのような周囲温度で動作できますか?


-55°C~+150°Cの幅広い範囲で動作し、過酷な温度条件下でも使用可能です。

どのようなパッケージと実装方式を採用していますか?


プリント基板への表面実装用に設計されたSOT‐223パッケージで提供されます。

ゲート電圧について、どのような制限を守る必要がありますか?


ゲート‐ソース間の最大定格は20 Vで、損傷を防止するために超えてはなりません。

自動車グレードの用途に適していますか?


AEC‐Q101に準拠し、自動車用電子機器の実装に対応します。

環境物質制限に適合していますか?


RoHSに準拠し、特定の有害物質に関する制限を満たしています。

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