Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 100 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR584DP-T1-RE3

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RS品番:
239-5389
メーカー型番:
SiR584DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

SiR

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0039Ω

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

最大許容損失Pd

83.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.15mm

幅

5.15 mm

規格 / 承認

RoHS

Vishay TrenchFET NチャンネルパワーMOSFETのドレイン電流は100 Aです。同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モータ駆動スイッチに使用されます。

非常に低いRDS x Qg性能指数

最低のRDS x Qoss性能指数

100 % Rg及びUISテスト済み

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