Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 24.7 A, 表面 パッケージPowerPAK SO-8, SIR120DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
256-7421
Distrelec 品番:
304-40-864
メーカー型番:
SIR120DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

24.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0095Ω

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay Semiconductor Nチャンネル80 V (D-S) mosfetは、非常に低いRDS x Qgメリット数値(FOM)で、同期整流、一次サイドスイッチ、DC、DCコンバータ、電源、モータドライブ制御、バッテリ、負荷スイッチなどの用途があります。

TrenchFET gen IVパワーモスフェット

非常に低いRDS x Qgメリット数値(FOM)

最低のRDS x Qoss FOMに対応するチューニング

100 % Rg及びUISテスト済み

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