Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 80 V, 100 A, 0.0039 Ω, 56 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK SO-8

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥2,184.00

(税抜)

¥2,402.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,805 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
5 - 145¥436.80¥2,184
150 - 1420¥396.40¥1,982
1425 - 1895¥355.40¥1,777
1900 - 2395¥314.80¥1,574
2400 +¥274.00¥1,370

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
239-5390
メーカー型番:
SiR584DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

SiR

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0039Ω

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

83.3W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

5.15mm

長さ

6.15mm

Vishay TrenchFET NチャンネルパワーMOSFETのドレイン電流は100 Aです。同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モータ駆動スイッチに使用されます。

非常に低いRDS x Qg性能指数

最低のRDS x Qoss性能指数

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。