Microchip MOSFET, タイプPチャンネル -60 V, -640 mA エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 トレイ(1トレイ1000個入り) 小計：*

￥308,800.00

(税抜)

￥339,680.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000￥308.80￥308,800
2000 - 9000￥302.602￥302,602
10000 - 14000￥286.463￥286,463
15000 - 19000￥278.392￥278,392
20000 +￥270.321￥270,321

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
239-5620
メーカー型番:
VP2206N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-640mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-60V

シリーズ

VP2206

パッケージ型式

TO-92

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.9Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.8V

最大許容損失Pd

0.74W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Microchip VP2206シリーズは、縦型DMOS構造とSupertexの実績のあるシリコンゲート製造プロセスを利用した強化モード(通常オフ)トランジスタです。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次絶縁破壊の恐れがありません。この縦型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高ブレークダウン電圧、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング及び増幅用途に最適です。

二次故障の恐れがない

低消費電力

簡単な並列接続、低CISS、高速スイッチング

高入力インピーダンス、高ゲイン、優れた熱安定性

ソース-ドレイン間ダイオードを内蔵

関連ページ