型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 90.5 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC, SIDR104AEP-T1-RE3

RS品番:: 239-8613
メーカー型番:: SIDR104AEP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 90.5 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC, SIDR104AEP-T1-RE3

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60 - 598	￥444.00	￥888
600 - 1198	￥386.00	￥772
1200 - 2398	￥326.50	￥653
2400 +	￥268.00	￥536

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RS品番:: 239-8613
メーカー型番:: SIDR104AEP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	90.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	PowerPAK SO-8DC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0021Ω
	チャンネルモード	デプレッション型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	46.1nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	120W
	動作温度 Max	125°C
	規格 / 承認	No
	長さ	6.15mm
	幅	5.15 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 90.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 PowerPAK SO-8DC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0021Ω
	チャンネルモードデプレッション型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46.1nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 120W
	動作温度 Max 125°C
	規格 / 承認 No
	長さ 6.15mm
	幅 5.15 mm
	自動車規格 AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、100V及び175℃の温度で動作する第4世代パワーNチャンネルMOSFETです。このMOSFETは、電源、モータドライブ制御、同期整流に使用されます。

超低抵抗

UISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 90.5 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC, SIDR104AEP-T1-RE3

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