Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 90.5 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC

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RS品番:
239-8612
メーカー型番:
SIDR104AEP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8DC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0021Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

120W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46.1nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

長さ

6.15mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、100V及び175℃の温度で動作する第4世代パワーNチャンネルMOSFETです。このMOSFETは、電源、モータドライブ制御、同期整流に使用されます。

超低抵抗

UISテスト済み

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