Vishay MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 33 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK075N60EF-T1GE3
- RS品番:
- 252-0266
- メーカー型番:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 252-0266
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- SIHK075N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.05mΩ | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最大許容損失Pd | 132W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.05mΩ | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 54nC | ||
最大許容損失Pd 132W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.15mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。
第4世代Eシリーズ技術
、低メリット数字(FOM)、Ron xQg
、低有効静電容量(Co(er)
、スイッチング及び伝導損失
の削減、アバランシェ電力定格(UIS)
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