Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 33 A, 0.061 Ω, 72 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 10 x 12

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梱包形態
RS品番:
252-0266
メーカー型番:
SIHK075N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

EF

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.061Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

192W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

72nC

動作温度 Max

+150°C

幅

5.15mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

6.15mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧650V、消費電力192W - SIHK075N60EF-T1GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しいスイッチングおよび電力制御環境向けに設計された高電圧Nチャンネル半導体です。広い温度範囲で動作し、コンパクトなアセンブリに適した低プロファイルの表面実装パッケージで提供されます。このデバイスは、限られたフットプリントで大幅な連続電流処理と堅牢な電圧能力を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 33A により、高負荷動作に対応
• 0.061Ω のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 最大許容電力 192W により、高出力処理に対応
• 72nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• AEC‐Q101認定により、自動車グレードの熱ストレスに対応

用途


• トラクションおよび高電圧車両パワーエレクトロニクスに最適
• ハーフブリッジおよびフルブリッジスイッチングトポロジに最適
• 産業用インバータの絶縁ゲートドライバーと併用
• 最大高電圧のスイッチング電源に使用可能
• 自動車システムのモーター駆動ステージに最適

過酷な環境ではどのような温度範囲に耐えられますか?


定格動作温度範囲は-55°C~+150°Cで、低温スタートおよび高温動作条件での使用が可能です。

プリント基板の組み立てには、どのようなパッケージ形式を使用しますか?


このデバイスは、効率的な熱伝達とコンパクトな基板配置を実現するために設計されたPowerPAK 10x12表面実装エンクロージャーに収納されています。

ゲート電圧制限はドライブ設計にどのように影響しますか?


最大ゲート-ソース電圧は20 Vであるため、ゲート過負荷を防止するために、ゲートドライバをこの限界内に保つように指定する必要があります。

RoHS制限のあるアセンブリに適していますか?


このコンポーネントはRoHS要件に準拠しており、制限物質への適合を要求するアセンブリに使用できます。

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