Infineon MOSFET, Nチャンネル, 25 V, 55 A, 2.4 mΩ, 80 nC, 6ピン, パッケージ:PQFN
- RS品番:
- 240-6376
- メーカー型番:
- ISK024NE2LM5
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 240-6376
- メーカー型番:
- ISK024NE2LM5
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | ISK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.4mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大許容損失Pd | 171W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.81V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ ISK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.4mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大許容損失Pd 171W | ||
順方向電圧 Vf 0.81V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM 5パワーMOSFET 25 V、2.4 mΩ、PQFN 2 x 2パッケージの最小フォームファクタです。Infineonは、25Vおよび30Vの新しいBIC OptiMOS™ 5製品により、小型フォームファクタでクラス最高の効率ソリューションを提供し、ワイヤレス充電、負荷スイッチ、低電力DCDCアプリケーションなどの用途に最適です。フットプリント4mm2の小型PQFN 2x2パッケージは、卓越した電気性能と相まって、2.4mΩの低RDSonを特長とし、最終アプリケーションのフォームファクタ改善に貢献します。
PQFN 2x2パッケージの優れた耐熱性
最高の性能と電力密度に最適化
最小のPQFN 2x2パッケージで業界最小のRDSonを実現
Nチャンネル
100%アバランシェテスト済
鉛未使用リードめっき; RoHS 準拠
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