ローム MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 10.3 A N, 8-Pin パッケージHUML2020L8
- RS品番:
- 241-2262
- メーカー型番:
- RF4G100BGTCR
- メーカー/ブランド名:
- ローム
ボリュームディスカウント対象商品
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¥203,073.00
(税抜)
¥223,380.00
(税込)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥67.691 | ¥203,073 |
| 15000 - 27000 | ¥66.712 | ¥200,136 |
| 30000 - 72000 | ¥65.049 | ¥195,147 |
| 75000 - 147000 | ¥63.395 | ¥190,185 |
| 150000 + | ¥61.723 | ¥185,169 |
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- RS品番:
- 241-2262
- メーカー型番:
- RF4G100BGTCR
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | HUML2020L8 | |
| シリーズ | RF4G100BG | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 HUML2020L8 | ||
シリーズ RF4G100BG | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.6nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
ROHM RF4G100BGは、スイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。
低オン抵抗
高出力小型成形パッケージHUML2020L8
鉛フリーめっき及びRoHS準拠
ハロゲン不使用
