Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 212 A N, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6, BSZ017NE2LS5IATMA1

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梱包形態
RS品番:
241-9679
メーカー型番:
BSZ017NE2LS5IATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

シリーズ

BSZ

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSTM 5 Nチャンネルロジックレベルパワー MOSFETは、ドレインソース電圧(VDS)25V、ドレイン電流(ID)が134Aです。スタンバイとフル動作の両方で最高の電力密度とエネルギー効率を実現することで、ベンチマークソリューションを提供します。クラス最高のオン状態抵抗を備え、デスクトップやサーバー、高電力密度電圧レギュレータなどで幅広く使用されています。

高性能バックコンバータ向けに最適化

モノリシック統合ショットキーライクダイオード

IEC61249-2-21RDS(on) @ VGS = 4.5 V

100 % アバランシェ試験済み

Nチャンネル

ターゲット用途向けのJEDEC1準拠に対応

鉛フリーリードめっき

RoHS適合

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

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